公开/公告号CN113311309B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-12
原文格式PDF
申请/专利权人 度亘激光技术(苏州)有限公司;
申请/专利号CN202110867542.9
申请日2021-07-30
分类号H01L21/66(20060101);
代理机构11463 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙);
代理人杨萌
地址 215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢215、217室
入库时间 2022-08-23 12:36:12
机译: 使用分析结构进行半导体器件缺陷分析的失效分析方法及该方法
机译: 利用覆盖层和杂质直接组合半导体结构的方法,以及使用相同结构形成的组合半导体结构的方法
机译: 用于半导体器件的寄生MIM结构点分析方法和用于硅半导体器件的寄生MIM结构点分析方法