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厘米级长度的银单晶纳米线阵列的制备方法

摘要

厘米级长度的银单晶纳米线阵列的制备方法,属于纳米材料制备技术领域。本发明选用裸玻璃光纤为基底,用真空热蒸镀方法在裸玻璃光纤一侧沉积两片银膜分别作为阴极和阳极,在阴极和阳极之间沿光纤轴向沉积RbAg4I5银离子导电薄膜,并使其覆盖阴极和阳极。在真空中,对阴极和阳极之间施加恒定直流电压,经数十小时后,阴极边缘生长出长度达厘米量级的银单晶纳米线阵列。该方法在全固态环境且无任何模板的条件下实现,操作简单,阵列长度由通电时间控制,阵列中的银纳米线彼此平行排列,且该阵列易于从基底分离,可作为导线或器件应用于宏观尺度的电子学、光电子学领域中,或直接作为表面增强拉曼散射基底用于化学分析领域中。

著录项

  • 公开/公告号CN100469682C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-03-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 清华大学;

    申请/专利号CN200510012005.7

  • 申请日2005-06-24

  • 分类号B82B3/00(20060101);C30B29/02(20060101);C30B29/60(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 100084 北京市北京100084-82信箱

  • 入库时间 2022-08-23 09:02:04

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-09-01

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B82B 3/00 授权公告日:20090318 申请日:20050624

    专利权的终止

  • 2009-03-18

    授权

    授权

  • 2006-02-15

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-12-21

    公开

    公开

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