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公开/公告号CN110911555B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-01
原文格式PDF
申请/专利权人 华中科技大学;
申请/专利号CN201910994998.4
发明设计人 童浩;万代兴;缪向水;徐开朗;
申请日2019-10-18
分类号H01L45/00(20060101);B82Y40/00(20110101);
代理机构42224 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙);
代理人宋敏
地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
入库时间 2022-08-23 12:34:17
机译: 具有量子阱和超晶格的基于III族氮化物的发光二极管结构的制造方法,基于III族氮化物的量子阱结构和基于III族氮化物的超晶格结构
机译: 制造具有量子阱和超晶格的,基于III族氮化物的发光二极管结构,基于III族氮化物的量子阱结构和基于III族氮化物的超晶格结构的方法
机译: 密封井的超内部孔以填充井坑或内部管道并密封特别是井筒或内部管道的孔中的区域的方法,以及在井的孔中形成塞子的方法
机译:基于Pebax 1657的混合基质膜的制造中的高速旋涂,该膜填充有超孔ZIF-8颗粒用于CO2 / CH4分离
机译:[邀请]特殊的AlGaN分级超晶格孔和电子阻挡层提高了基于AlGaN的紫外线发光二极管的性能
机译:基于孔网络方法的部分饱和介质混合多尺度模型和晶格Boltzmann方法
机译:基于Kinect的深孔填充算法研究
机译:具有深能隙和深杂质的半导体超晶格的磁光研究。
机译:高摩擦性高分子纳米复合材料:基于石墨烯氧化物附聚物的超填充状态的方法
机译:基于RFID的腔室(深孔)爆破的消耗检测与识别方法
机译:带填充对长周期一维超晶格中微带宽度的影响