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公开/公告号CN111261202B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-01
原文格式PDF
申请/专利权人 美光科技公司;
申请/专利号CN201911193365.X
发明设计人 赤松广志;南基俊;J·D·波特;
申请日2019-11-28
分类号G11C5/14(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人王龙
地址 美国爱达荷州
入库时间 2022-08-23 12:34:11
机译: 由于待泄漏电流降低了非易失性存储器中的功耗
机译: 降低泄漏电流的燃料电池堆中的电解液循环
机译: 降低Si / SiGe双通道CMOS中的断态泄漏电流
机译:利用时域中的块激活位置,统计高泄漏环境中的泄漏电流降低
机译:具有Al_2O_3 / Si_3N_4栅极绝缘体的沟道掺杂AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管中的高漏极电流密度和降低的栅极泄漏电流
机译:嵌入在金属-绝缘体-金属电容器堆叠中的非晶态基质中的纳米晶体可降低泄漏电流
机译:CMOS SRAM单元写操作期间的泄漏电流和泄漏功率降低的分析
机译:一种降低交通运输事故中浓气体意外泄漏风险的方案。
机译:介孔结构的HfO2 / Al2O3复合材料离子导电泄漏电流降低的薄膜设备
机译:基于sRam的FpGa中泄漏电流降低的通用后处理方法
机译:降低DIII-D中边缘电流密度修改的混合电流驱动:最终状态报告