首页> 中国专利> 含吡咯并吡咯烷酮构筑单元的荧光共轭高分子、制备方法及应用

含吡咯并吡咯烷酮构筑单元的荧光共轭高分子、制备方法及应用

摘要

本发明公开了含吡咯并吡咯烷酮构筑单元的荧光共轭高分子、制备方法及应用。利用Sonogashira偶联的方法,合成了主链为吡咯并吡咯烷酮结构的,侧链带不同结构的荧光共轭高分子。在本发明中,由于吡咯并吡咯烷酮作为一个缺电子的体系,与强给电子的阴离子之间可形成分子间的电荷转移,不同阴离子的给电子能力不同,进一步影响共轭聚合物的荧光,从而实现对阴离子的响应检测。将其应用于四氢呋喃溶液体系中对常见阴离子的传感检测,具有响应性检测的效果。经检测,其对OH‑、F‑、Cl‑、Br‑、I‑、AcO‑有较好的响应效果,并可通过肉眼观察聚合物溶液的颜色变化和荧光颜色的变化,方便的实现对阴离子的响应检测。

著录项

  • 公开/公告号CN110003449B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 苏州大学;

    申请/专利号CN201910239611.4

  • 发明设计人 范丽娟;吴应忠;

    申请日2019-03-27

  • 分类号C08G61/12(20060101);C09K11/06(20060101);

  • 代理机构32103 苏州创元专利商标事务所有限公司;

  • 代理人陶海锋

  • 地址 215137 江苏省苏州市相城区济学路8号

  • 入库时间 2022-08-23 12:33:20

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号