首页> 中国专利> 一种合成Ag/Ag2S/CdS异质结的多级进样微流控芯片的制备方法

一种合成Ag/Ag2S/CdS异质结的多级进样微流控芯片的制备方法

摘要

本发明公开了一种合成Ag/Ag2S/CdS异质结的多级进样微流控芯片的制备方法。本发明针对现有合成纳米材料技术的不足,公开了一种合成Ag/Ag2S/CdS异质结的多级进样微流控芯片,其中设置有CdS微液滴形成区,CdS纳米颗粒混合反应区,Ag2S/CdS微液滴形成区,Ag2S/CdS异质结混合反应区,Ag/Ag2S/CdS形成区,实现了微流控芯片对纳米复合材料合成的有效控制。本发明设计的多级进样微流控芯片结构优化,操作方便,实现了分步进样,能够合成分散性好,尺寸大小均匀的纳米复合材料。另外,多级进样可以实现不同浓度,不同比例的进样,从而实现不同尺寸和性能纳米复合材料的成功制备。

著录项

  • 公开/公告号CN110560188B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 济南大学;

    申请/专利号CN201910884375.1

  • 申请日2019-09-19

  • 分类号B01L3/00(20060101);

  • 代理机构37240 济南誉丰专利代理事务所(普通合伙企业);

  • 代理人赵凤

  • 地址 250022 山东省济南市市中区南辛庄西路336号

  • 入库时间 2022-08-23 12:33:08

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号