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一种虚阴极倒置相对论磁控管

摘要

本发明公开了一种虚阴极倒置相对论磁控管,属于微波技术领域。该磁控管包括阴极、阳极、反射腔、射频激励结构、圆波导输出结构、外壳过渡段。本发明通过交换阳极与阴极的位置,在阴极端部与阳极叶片之间设置了用于产生电子的扇形阴极单元。本发明的扇形阴极单元有效地解决了由于互作用区中爆炸式发射产生的等离子体所带来的脉冲缩短、频率漂移、效率降低等问题,同时还可以实现有利电子的预群聚,从而提高能量转换效率和激励模式的纯净度,显著提高了器件的整体效率。

著录项

  • 公开/公告号CN111933501B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN202010709474.9

  • 发明设计人 程仁杰;李天明;胡标;何朝雄;

    申请日2020-07-22

  • 分类号H01J25/50(20060101);H01J25/55(20060101);H01J23/05(20060101);H01J23/12(20060101);

  • 代理机构51203 电子科技大学专利中心;

  • 代理人邓黎

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2022-08-23 12:31:36

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