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兼具低场与高场压电性能的无铅压电陶瓷及其制备方法

摘要

本发明公开了一种兼具低场与高场压电性能的无铅压电陶瓷及其制备方法,所述无铅压电陶瓷是以(Bi0.5Na0.5)TiO3、BaTiO3、Bi2CoMnO6、WO3和MgO为原料,按照化学组成通式(1‑y)(Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06Ti1‑x(W0.5Mg0.5)xO3yBi2CoMnO6制备所得,其中xy表示摩尔分数,0.01≤x≤0.05,0.01≤y≤0.05;所述制备方法则是在现有工艺上优化后的方法。本发明公开的无铅压电陶瓷能够很好的兼顾低场和高场下的压电性能,生产成本低、实用性好。

著录项

  • 公开/公告号CN109704757B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 桂林电子科技大学;

    申请/专利号CN201910025697.0

  • 申请日2019-01-11

  • 分类号C04B35/475(20060101);C04B35/622(20060101);

  • 代理机构44220 广州市一新专利商标事务所有限公司;

  • 代理人李春霞

  • 地址 541004 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号

  • 入库时间 2022-08-23 12:30:59

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