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公开/公告号CN110607501B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-21
原文格式PDF
申请/专利权人 沈阳工业大学;
申请/专利号CN201910782416.6
发明设计人 王占杰;
申请日2019-08-23
分类号C23C14/08(20060101);C23C14/28(20060101);
代理机构21001 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司;
代理人张晨
地址 110023 辽宁省沈阳市经济技术开发区沈辽西路111号
入库时间 2022-08-23 12:30:43
机译: 通过溶胶凝胶和介电常数高的sintonabilidade钛酸钡锶锶薄膜的制备方法
机译: 通过同时使用含H2O和配体的锶源形成具有优异材料性能的氧化锶钌薄膜的方法及其电容器制造方法
机译: 钌酸锶薄膜的形成方法及包括该薄膜的电容器的制造方法
机译:溶胶-凝胶衍生的钛酸钡薄膜沉积在铂和钌酸锶涂覆的硅片上的高温处理的影响
机译:钛酸钡锶粉末与聚丁二酸丁二醇酯薄膜复合材料的介电和力学性能
机译:新型可调谐微波器件钛酸钡锶钡_(0.5)锶_(0.5)TiO_3 / MgO薄膜复合材料
机译:来自双(2,4-二甲基戊二烯基)钌和双(四甲基庚烷酸盐)锶的锶钌酸薄膜的化学气相沉积
机译:钌酸锶薄膜的生长和物理性能。
机译:为近红外等离子应用优化钌酸锶薄膜
机译:钛酸锆钛酸钡锶(BSZT)薄膜,用于光波导
机译:sr2UO(4.5):一种新的钙钛矿型锶酸锶