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银纳米线表面原位生长金属氧化物核点复合材料制备方法

摘要

本发明涉及银纳米线基复合材料制备技术,旨在提供一种银纳米线表面原位生长金属氧化物核点复合材料制备方法。包括:将聚乙烯吡络烷酮和阳离子结构诱导剂的乙二醇溶液混合反应后,滴加AgNO3的乙二醇溶液进行反应,获得“点串线”型银纳米线基金属核点复合材料;以有机溶剂清洗后,在100~160℃下处理10~30min,得到银纳米线表面原位生长金属氧化物核点复合材料。相比于传统银纳米线基复合材料,本发明制备的银纳米线基金属氧化物核点复合材料可以有效地降低传输电子的散射作用,表现出更好的导电性能。

著录项

  • 公开/公告号CN111482617B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江大学;

    申请/专利号CN202010077581.4

  • 申请日2020-01-30

  • 分类号B22F9/24(20060101);B22F1/00(20060101);B22F1/02(20060101);H01B13/00(20060101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构33212 杭州中成专利事务所有限公司;

  • 代理人周世骏

  • 地址 310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

  • 入库时间 2022-08-23 12:29:23

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