具有防止等离子体损害的光子吸收层的半导体器件

摘要

一种MOSFET器件结构和制造该器件结构的方法，其中，为了避免在层间介电层的高密度等离子体沉积过程中对栅极氧化物的等离子诱导损害，在栅极结构和衬底上面形成一光子吸收层。该器件结构可以包括在光子吸收层下面的蚀刻停止层。该光子吸收层整体上都由硅锗形成，或者它可以是由硅层和硅锗层形成的多层。在多层结构中，硅锗层可以形成在硅层的顶部，或者反之亦然。硅锗层可以通过将锗离子注入到硅层中来形成，或者通过硅锗合金层的外延生长法来形成。在光子吸收层中，锗可以由带隙能量小于硅带隙能量的其它元素来取代。