半导体存储器单元多写避免编码装置、系统和方法

摘要

本发明涉及半导体存储器单元多写避免编码装置、系统和方法，公开要被写入到存储器位置(205)的数据字(215)以多写避免(“MWA”)码字进行增量编码。MWA码字导致不将包含逻辑“0”的单个位存储单元重写为“0”状态，并且不将逻辑“1”重写到已经被写入一次逻辑“1”的单元。由差字DELTA_D(228A、228B)编索引存储在查找表(“LUT”)(235)中的潜在的MWA码字(236)。DELTA_D(228A、228B)表示当前存储在存储器位置(205)处的数据字(212)和要被存储在存储器位置(205)处的新的数据字(“NEW_D”)(215)之间的逐位差(“增量”)。如果MWA码字没有违反多写避免的原理，则验证和选择逻辑(245)选择表示要被写入的NEW_D(215)的MWA码字。一些实施例使用模式生成器而不是从LUT(235)中索引MWA码字来生成MWA码字。