基于超结的集成功率器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种基于超结的集成功率器件及其制造方法，其元胞结构包括第一掺杂类型衬底，所述第一掺杂类型衬底上设置有增强型超结MOSFET、耗尽型超结MOSFET和一个隔离结构，两种超结MOSFET器件共用漏极，隔离结构设置于增强型超结MOSFET和耗尽型超结MOSFET之间；本发明在传统的集成功率器件中引入超结，一方面，超结条形成的增强型、耗尽型器件，提高了芯片的电流能力、耐压能力及开关态特性；另一方面，将超结MOSFET器件集成在一起，可独立或组合使用，可集成多种功率器件，不仅应用灵活多变，且更有利于系统集成化和小型化；能有效防止器件表面发生穿通，可靠性高。