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一种磁通控制型忆阻器的Simulink建模方法

摘要

本发明公开了一种磁通控制型忆阻器的Simulink建模方法。本发明中的输入信号源模块经过4个常数模块、2个加法模块、3个减法模块、2个乘法模块、2个绝对值模块、2个增益模块和1个阶跃函数模块,得到系统状态变量x的导数的表达式;系统状态变量x的导数的表达式经过积分模块,得到系统状态变量x;忆阻器的忆导值在数值上与系统的状态变量x的倒数相等,系统状态变量x经过倒数模块,得到忆阻器的忆导值;输入信号源与忆阻器的忆导值经过乘法模块得到忆阻器电流量。本发明提出了一种实现忆阻器特性的Simulink模型,用以模拟忆阻器的电压电流特性,替代实际忆阻器进行实验和研究。

著录项

  • 公开/公告号CN108491567B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 杭州电子科技大学;

    申请/专利号CN201810109539.9

  • 申请日2018-02-05

  • 分类号G06F30/367(20200101);

  • 代理机构33246 浙江千克知识产权代理有限公司;

  • 代理人周希良

  • 地址 310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街

  • 入库时间 2022-08-23 12:26:51

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