公开/公告号CN110040766B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-03
原文格式PDF
申请/专利权人 重庆大学;国网浙江省电力有限公司;
申请/专利号CN201910259579.6
申请日2019-04-02
分类号G01N27/12(20060101);C01G19/02(20060101);C01G9/02(20060101);
代理机构11689 北京智绘未来专利代理事务所(普通合伙);
代理人张红莲;郭红燕
地址 400044 重庆市沙坪坝区沙正街127号
入库时间 2022-08-23 12:25:17
机译: 制备气敏性纳米层结构,相应的气敏性纳米层结构和具有相应的气敏性纳米层结构的气体传感器的方法
机译: 多层金属氧化物多孔膜纳米气敏材料的制备方法
机译: 多层金属氧化物多孔膜纳米气敏材料的制备方法