首页> 中国专利> 通过FZ法提拉单晶的方法和设备

通过FZ法提拉单晶的方法和设备

摘要

本发明涉及通过FZ法提拉单晶的方法,其中借助于电磁熔化装置熔化多晶,然后使其再结晶,其中在第一阶段(P1)中,借助于所述熔化装置熔化朝向熔化装置移动的所述多晶的下端,以形成液滴,其中在第二阶段(P2)中,使单晶晶种附着至所述多晶的所述下端,并从所述晶种的上端开始熔化,其中,在第一阶段(P1)期间和在第二阶段(P2)期间,熔化装置的功率(P)至少暂时地根据包含液滴(120)和/或晶种(140)和/或多晶(100)的所使用的晶体材料的温度和/或几何尺寸(d,h)而预先确定,并且还涉及相应的设备。

著录项

  • 公开/公告号CN110291230B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 硅电子股份公司;

    申请/专利号CN201880011568.X

  • 发明设计人 T·施勒克;

    申请日2018-02-13

  • 分类号C30B13/20(20060101);C30B13/30(20060101);C30B29/06(20060101);

  • 代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人过晓东

  • 地址 德国慕尼黑

  • 入库时间 2022-08-23 12:25:13

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号