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一种基于DDR读数据整数时钟周期的同步电路及同步方法

摘要

本发明公开了一种基于DDR读数据整数时钟周期的同步电路及同步方法,同步电路包括:相互连接的物理层校准电路和读数据有效使能生成电路;物理层校准电路用于对DDR读数据与参考数据进行延迟多拍使能比较,得到比较结果;读数据有效使能生成电路用于根据比较结果确定DDR读数据到达DDR物理层的整数时钟周期,将DDR读数据的有效使能延迟确定的整数时钟周期,实现DDR读数据整数时钟周期同步。本发明采用延迟多拍使能比较信号的方式确定DDR读数据到达DDR物理层的整数时钟周期,把该数据有效使能延迟相应的整数时钟周期,实现DDR读数据整数时钟周期同步。

著录项

  • 公开/公告号CN111208867B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 芯创智(北京)微电子有限公司;

    申请/专利号CN201911375233.9

  • 发明设计人 王亮;吴汉明;

    申请日2019-12-27

  • 分类号G06F1/12(20060101);

  • 代理机构11311 北京天悦专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人任晓航;杨方

  • 地址 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区荣华中路10号1幢A座17层1717

  • 入库时间 2022-08-23 12:21:23

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