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一种具有量子阱结构隧穿结的多结太阳电池及制作方法

摘要

本发明公开了一种具有量子阱结构隧穿结的多结太阳电池及制作方法,该多结太阳电池的第一隧穿结和第二隧穿结为量子阱结构,且该量子阱结构的数量可以为单个也可以为多个,量子阱结构具有量子限制效应,产生分立的量子能级,局域化电子和空穴。在隧穿结中设计量子阱结构,使得电子和空穴可以通过量子阱结构产生的局域化能级增加隧穿几率,进而极大程度的提高隧穿电流。

著录项

  • 公开/公告号CN110148644B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 扬州乾照光电有限公司;

    申请/专利号CN201910462157.9

  • 申请日2019-05-30

  • 分类号H01L31/0352(20060101);H01L31/0687(20120101);H01L31/0693(20120101);H01L31/18(20060101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人王宝筠

  • 地址 225101 江苏省扬州市下圩河路8号

  • 入库时间 2022-08-23 12:20:32

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