公开/公告号CN110148644B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-20
原文格式PDF
申请/专利权人 扬州乾照光电有限公司;
申请/专利号CN201910462157.9
申请日2019-05-30
分类号H01L31/0352(20060101);H01L31/0687(20120101);H01L31/0693(20120101);H01L31/18(20060101);B82Y40/00(20110101);
代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人王宝筠
地址 225101 江苏省扬州市下圩河路8号
入库时间 2022-08-23 12:20:32
机译: 一种新型的氧化结构/方法,可制造出高性能的磁隧道隧穿结
机译: 隧道结中具有梯度半导体异质结构的带间隧穿场效应晶体管
机译: 隧道结中具有梯度半导体异质结构的带间隧穿场效应晶体管