一种纳米浸渍瞬态共晶相连接SiC陶瓷的方法及其制备的陶瓷和应用

摘要

本发明属于陶瓷连接技术领域，公开了一种纳米浸渍瞬态共晶相连接SiC陶瓷的方法。该方法是将SiC粉体和Al₂O₃‑M_xO_y的混合粉体A作为连接材料，所述M_xO_y＝Ho₂O₃或CeO₂，将混合粉体A加入溶剂和球磨介质混合干燥后将所得混合粉体B进行造粒的粉体铺展在两块抛光后的SiC中间形成三明治结构；再进行冷等静压处理，在真空或气氛保护下，加压0.01～0.1MPa，先升温至600～1000℃保温Ⅰ，再升温至1450～1600℃保温Ⅱ，保温压力为200～500MPa，进行连接制得纳米浸渍瞬态共晶相连接的SiC陶瓷。本发明实现SiC陶瓷的低温低压连接，连接处的漏率达到0～1×10^‑8Pa·L/s。