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具有不规则设计结构双转换增益晶体管的图像传感器

摘要

本发明提供一种具有不规则设计结构双转换增益晶体管的图像传感器,所述图像传感器的双转换增益控制单元包括双转换增益晶体管和电容,所述双转换增益晶体管具有不规则设计结构,其漏极有源区向多方向延伸,形成有源区连接电容;并且可通过在所述双转换增益晶体管的漏极有源区上设置一栅极结构,形成MOS电容,以进一步改善有源区连接电容。本发明提供的技术方案,通过改进像素单元中双转换增益晶体管设计结构布局以提高双转换增益控制单元的电容值,从而提高像素电路在高增益模式或低增益模式下转移存储的电荷量,改善图像传感器的转换增益,提升图像传感器的性能。

著录项

  • 公开/公告号CN110534534B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 思特威(上海)电子科技股份有限公司;

    申请/专利号CN201910652764.1

  • 发明设计人 王欣;徐辰;石文杰;赵春;

    申请日2019-07-19

  • 分类号H01L27/146(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 201203 上海市浦东新区自由贸易试验区祥科路111号3号楼6楼612室

  • 入库时间 2022-08-23 12:17:00

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