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公开/公告号CN110616386B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-08-10
原文格式PDF
申请/专利权人 东南大学;
申请/专利号CN201910868297.6
发明设计人 袁晨晨;庞昌蒙;陈磊;徐浩;郭威;沈宝龙;
申请日2019-09-12
分类号C22C45/00(20060101);B22D11/06(20060101);C22C1/03(20060101);
代理机构32204 南京苏高专利商标事务所(普通合伙);
代理人杨晓莉
地址 211102 江苏省南京市江宁区东南大学路2号
入库时间 2022-08-23 12:16:58
机译: 非晶铝基合金具有高电阻,并且由基于非晶铝的合金制成的结构元件的制造方法具有高电阻。
机译: 基于硬质合金的高熵陶瓷,含稀土的基于碳化物的高熵陶瓷和纤维及其前体,以及其制备方法
机译: 高纯铁硼合金,用于Fe基非晶合金和Fe基非晶合金及其制造方法
机译:去磁场和磁各向异性对GDTMercoal高熵非晶合金中磁热行为和磁热磁阻相关性的综合作用
机译:新型相分解,高熵的良好软磁和机械性能(Fe0.25Co0.25NI0.25CR0.125MN0.125)(100-X)B-X(x = 9-13)非晶合金
机译:形成,热稳定性和高熵力学性能(Fe0.25Co0.25NI0.25CR0.125MO0.0625NB0.0625)(100-X)B-X(x = 7-14)非晶合金
机译:(416-0144)Fe-Co-Ni基高熵非晶合金的非晶形成能力和软磁特性
机译:用于辐射检测的高电阻率非晶硒合金半导体
机译:新型高熵铝铝 - 硅化物合金
机译:合成Fe-Co-Ni-(B,Si,C)铁磁性高熵非晶合金及其热和磁性性能
机译:高Gd含量非晶La - Gd - au合金电阻率最小值的磁场依赖性。