一种半导体材料表面能级能带调控的方法

摘要

本发明提供一种半导体材料表面能级能带调控的方法，属于半导体材料技术领域。本发明方法基于氧等离子体处理，能够在不影响半导体材料本身透光率与导电率的前提下实现对其表面化学组分、缺陷态密度和能级能带的连续控制，减少界面载流子背复合的发生。本发明设计的等离子表面处理工艺，以射频放电为等离子体激发手段，以氧等离子体来处理半导体材料，利用射频等离子体低宏观温度、高粒子能量，以及氧原子半径与半导体材料原子半径极为接近的特点，实现选择性地去除材料表面的原子掺杂，并通过功率与处理时间等参数的优化，制备表面能级能带可连续调控的半导体材料。