公开/公告号CN100456429C
专利类型发明授权
公开/公告日2009-01-28
原文格式PDF
申请/专利权人 高级技术材料公司;
申请/专利号CN02820935.4
申请日2002-10-17
分类号
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人郭国清
地址 美国康涅狄格州
入库时间 2022-08-23 09:01:49
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-10-08
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/302 授权公告日:20090128 终止日期:20181017 申请日:20021017
专利权的终止
2016-12-28
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L21/302 变更前: 变更后: 申请日:20021017
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2016-12-28
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/302 变更前: 变更后: 申请日:20021017
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2015-04-29
专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/302 变更前: 变更后: 登记生效日:20150409 申请日:20021017
专利申请权、专利权的转移
2015-04-29
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/302 变更前: 变更后: 登记生效日:20150409 申请日:20021017
专利申请权、专利权的转移
2009-01-28
授权
授权
2009-01-28
授权
授权
2005-04-06
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-04-06
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-02-02
公开
公开
2005-02-02
公开
公开
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机译: 含有用于清洗半导体衬底上的无机残留物,铜专用缓蚀剂的水性清洗剂
机译: 含铜特定腐蚀抑制剂的水清洁组合物,用于清洁半导体基质上的无机残留物
机译: 含铜特定腐蚀抑制剂的水清洁组合物,用于清洁半导体基质上的无机残留物