首页> 中国专利> 用于清洗半导体基质上无机残渣含有铜特效腐蚀抑制剂的含水清洗组合物

用于清洗半导体基质上无机残渣含有铜特效腐蚀抑制剂的含水清洗组合物

摘要

一种半导体晶片清洗制剂,其含有按重量计为1-35%的氟化物源,按重量计为20-60%的有机胺,按重量计为0.1-40%的含氮组分如含氮羧酸或亚胺,按重量计为20-50%的水,及按重量计为0-21%的金属螯合剂。该制剂用于在抗蚀剂等离子体灰化步骤后从晶片上去除残渣,如从含有精细铜互连结构的半导体晶片上去除无机残渣。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-10-08

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/302 授权公告日:20090128 终止日期:20181017 申请日:20021017

    专利权的终止

  • 2016-12-28

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L21/302 变更前: 变更后: 申请日:20021017

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2016-12-28

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/302 变更前: 变更后: 申请日:20021017

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2015-04-29

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/302 变更前: 变更后: 登记生效日:20150409 申请日:20021017

    专利申请权、专利权的转移

  • 2015-04-29

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/302 变更前: 变更后: 登记生效日:20150409 申请日:20021017

    专利申请权、专利权的转移

  • 2009-01-28

    授权

    授权

  • 2009-01-28

    授权

    授权

  • 2005-04-06

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-04-06

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-02-02

    公开

    公开

  • 2005-02-02

    公开

    公开

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