三维存储器的漏电分析方法及三维存储器

摘要

本公开实施例公开了一种三维存储器的漏电分析方法及三维存储器，所述存储器的堆叠结构包括交替层叠设置的绝缘层和导电的K个栅极层，K为正整数，堆叠结构的第一端具有第一台阶区，堆叠结构的第二端具有第二台阶区；所述方法包括：在第一台阶区，形成与K个栅极层一一对应接触的K个导电第一插塞；在第二台阶区，形成与多个栅极层一一对应接触的多个导电的第二插塞；其中，与第二插塞接触的相邻的栅极层之间存在一个未与第二插塞接触的栅极层；向第一插塞注入导电的第一粒子，向第二插塞注入导电的第二粒子；其中，第一粒子的电性与第二粒子的电性相反；对第一插塞进行电性检测，基于检测结果，进行漏电分析。