一种超薄g-C₃N₄覆盖的TiO₂同质异形阵列薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种超薄g‑C₃N₄覆盖的TiO₂同质异形阵列薄膜及其制备方法。其特征在于，所述薄膜由超薄g‑C₃N₄覆盖的金红石型TiO₂纳米棒阵列与穗状棒束两种同质异形的TiO₂纳米结构高低交错构成，所述方法以无机硫酸钛为原料，在酸性条件下，通过一步水热反应在FTO玻璃上沉积出前驱体薄膜，再经焙烧，得到金红石型TiO₂同质异形阵列薄膜，再利用三聚氰胺分解产生的气体经化学气相沉积在TiO₂同质异形阵列薄膜上沉积一层超薄卷曲g‑C₃N₄。本发明所述制备方法操作简单，反应条件温和，作为光电极，在光电催化水中有机染料降解、光电催化水分解制氢领域有重要的应用前景。