公开/公告号CN111029439B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-30
原文格式PDF
申请/专利权人 河北大学;
申请/专利号CN201911264138.1
申请日2019-12-11
分类号H01L31/18(20060101);H01L31/032(20060101);H01L31/0749(20120101);C23C14/02(20060101);C23C14/06(20060101);C23C14/14(20060101);C23C14/34(20060101);C23C14/35(20060101);
代理机构13112 石家庄国域专利商标事务所有限公司;
代理人苏艳肃
地址 071002 河北省保定市五四东路180号河北大学
入库时间 2022-08-23 12:13:13
机译: 用于硒化铜铟或铜铟镓硒类型的薄膜太阳能电池的薄膜太阳能电池分层结构,具有后接触层,前接触层和光伏活性吸收层
机译: 铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯片的缓冲层及其制备方法,以及铜铟镓硒薄膜太阳能电池芯片
机译: 大面积铜铟镓硒化薄膜太阳能电池模块的全激光划线方法