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一种无硒化制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的方法

摘要

本发明提供了一种无硒化制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的方法,其是在沉积有阻挡层的基片上制备一层碱金属‑钼复合层,然后引入碱金属调控层,并在高温的基片上,在无额外硒气氛补充的情况下,溅射铜铟镓硒吸收层,可通过碱金属调控层的厚度和处理时间实现碱金属向吸收层扩散量的精确调控,从而控制吸收层内部的掺杂浓度和吸收层的择优取向、晶粒尺寸。本发明吸收层一次溅射成型,工艺简单且一致性较好。制备完成的CIGS薄膜太阳能电池效率高,电池的均匀性好,具有广阔的应用前景。

著录项

  • 公开/公告号CN111029439B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 河北大学;

    申请/专利号CN201911264138.1

  • 申请日2019-12-11

  • 分类号H01L31/18(20060101);H01L31/032(20060101);H01L31/0749(20120101);C23C14/02(20060101);C23C14/06(20060101);C23C14/14(20060101);C23C14/34(20060101);C23C14/35(20060101);

  • 代理机构13112 石家庄国域专利商标事务所有限公司;

  • 代理人苏艳肃

  • 地址 071002 河北省保定市五四东路180号河北大学

  • 入库时间 2022-08-23 12:13:13

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