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低温背场磁体及高温超导单元交流损耗测量装置

摘要

本发明提供一种低温背场磁体和高温超导单元交流损耗测量装置。该低温背场磁体包括非导磁间隔层,所述非导磁间隔层的中央设置有沿径向贯通的通孔;左侧低温超导线圈磁体;右侧低温超导线圈磁体;所述左侧低温超导线圈磁体包括M个依次同轴套接的线圈层Ri;所述左侧低温超导线圈磁体的线圈层Ri与所述右侧低温超导线圈磁体的线圈层Li对应地串接,组成合并线圈层Wi;其中,合并线圈层Wi与合并线圈层W(i+1)依次串接,组成整体线圈;使用时,所述整体线圈接入到直流电源的两侧,在所述通孔内产生预先设定强度的背场磁场。该低温背场磁体,磁场密度高,磁场强度调节方便。该高温超导单元交流损耗测量装置,测量简便、灵活、快速、准确。

著录项

  • 公开/公告号CN109872857B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国电力科学研究院有限公司;

    申请/专利号CN201910114900.1

  • 申请日2019-02-14

  • 分类号H01F6/00(20060101);H01F6/06(20060101);H01F6/04(20060101);G01R33/12(20060101);

  • 代理机构11266 北京工信联合知识产权代理有限公司;

  • 代理人姜丽辉

  • 地址 100192 北京市海淀区清河小营东路15号

  • 入库时间 2022-08-23 12:12:21

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