TFT阵列基板的制作方法及TFT阵列基板

摘要

本发明提供一种TFT阵列基板的制作方法及TFT阵列基板。本发明的TFT阵列基板的制作方法中，形成在第二金属材料膜上的光阻层包括与第一走线相交叉的光阻条，光阻条包括位于第一走线上方的第一部分及分别与第一部分两端连接的两个第二部分，第一部分两侧边缘分别突出于第二部分的两侧边缘，第一部分与两个第二部分的交界在竖直方向的投影分别位于第一走线的两侧，从而在蚀刻去除第二金属材料膜未被光阻层覆盖的部分后，得到与第一走线相交叉的第二走线，且第二走线与第一走线交叠的部分的两侧边缘突出其他部分的两侧边缘，能够避免TFT阵列基板在其两层金属层中走线的跨线处产生静电击伤。