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公开/公告号CN110764372B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-23
原文格式PDF
申请/专利权人 北京理工大学;
申请/专利号CN201911094589.5
发明设计人 李艳秋;李建慧;
申请日2019-11-11
分类号G03F7/20(20060101);G01M11/02(20060101);
代理机构11120 北京理工大学专利中心;
代理人仇蕾安
地址 100081 北京市海淀区中关村南大街5号
入库时间 2022-08-23 12:10:50
机译: 用于带电粒子束光学系统的像差测量设备,具有该像差测量设备的带电粒子束光刻机以及使用该设备的器件制造方法
机译:利用城市结构偏振散射特性的偏振标定方法
机译:使用基于模拟的方法进行尺寸测量和目标定位的新型亚像素边缘检测系统
机译:共同优化方法,以减少变形型EUV光刻偏振像差引起的图案变形
机译:193nm浸没式光刻机的自由形式照明模式和偏振模式模型
机译:平面对称光学系统中的色差校正和偏振像差分析的自适应分散公式
机译:像差校正的低温浸没显微镜
机译:Sagnac偏振干涉仪的标定方法及其在空间光调制器偏振分析中的应用
机译:非浸没式脉冲回声声光成像无损检测系统