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一种转印头、转印头阵列及微LED巨量转移方法

摘要

本发明公开了一种转印头、转印头阵列及微LED巨量转移方法,转印头包括基体和开设于基体上形状记忆聚合物容纳腔、微LED容纳腔,形状记忆聚合物容纳腔内设有形状记忆聚合物,多个转印头以阵列的形式安装在转移基板上组成转印头阵列;首先控制形状记忆聚合物处于第一形态,将转印头阵列对准需要转移的微LED,升温,使得形状记忆聚合物处于第二形态,形状记忆聚合物侧向膨胀挤压微LED,将微LED夹持,之后将微LED移动至目标基板,连接好LED后,降温,使得形状记忆聚合物恢复第一形态,释放LED,完成一次巨量转移。本发明结构简单,对微LED本身没有任何要求,转移效率高,成本低廉。

著录项

  • 公开/公告号CN112786520B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉大学;

    申请/专利号CN202110386214.7

  • 发明设计人 刘胜;李国梁;东芳;

    申请日2021-04-12

  • 分类号H01L21/683(20060101);H01L33/48(20100101);

  • 代理机构42222 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人杨宏伟

  • 地址 430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学

  • 入库时间 2022-08-23 12:09:08

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