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公开/公告号CN109400929B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-13
原文格式PDF
申请/专利权人 郭庆平;
申请/专利号CN201811277893.9
发明设计人 郭和俊;
申请日2018-10-30
分类号C08J5/18(20060101);C08L27/16(20060101);
代理机构34120 合肥顺超知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人徐文恭
地址 238100 安徽省马鞍山市含山县环峰镇翰林社区环峰北路138号5-2-2
入库时间 2022-08-23 12:07:44
机译: 一种形成铁电薄膜的方法,该方法的使用以及具有铁电低聚物存储材料的存储器
机译:官能化P(VDF-TRFE)薄膜无铅纳米复合材料的铁电偏振和热释电活性
机译:P(VDF-TrFE)共聚物和复合材料的铁电薄膜的原子力显微镜研究
机译:带喷墨印刷PEDOT的压电和铁电P(VDF-TRFE)薄膜:PSS电极:制备参数和物业评估
机译:铁电薄膜和二维范德华材料的扫描探针显微镜和电传输研究
机译:铁电P(VDF-TrFE)薄膜的低温热板退火具有改进的晶体结构适用于传感器和执行器
机译:薄膜铁电p(VDF-TrFE)薄膜的低温热板退火,具有改进的晶体结构,用于传感器和执行器
机译:a-sITE-aND /或B-sITE-mODIFIED pBZRTIO3材料和(pB,sR,Ca,Ba,mG)(ZR,TI,NB,Ta)O3薄膜,具有铁电随机存取存储器和高性能薄膜微处理器的实用性