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一种基于软硬件结合方式的大容量快速NandFlash存储实现方法

摘要

本发明公开了一种基于软硬件结合方式的大容量快速NandFlash存储实现方法,包括以下步骤:根据NandFlash特性结合控制器的双缓存区块特点,优化NandFlash的读写方式,采用并行化读写方式控制多块NandFlash;在实现上,对处理器的局部总线控制器的时序和命令进行解析,在FPGA芯片内部重新映射部分局部总线控制下的空闲物理地址空间,在FPGA芯片内实现对多片NandFlash芯片的复合片选;修改软件驱动程序,使修改后的软件驱动程序对单片存储器的串行访问命令变成对两片NandFlash芯片的交替访问,利用NandFlash芯片访问的等待时间,交替进行对缓存区块的读写访问,该方法能够有效的提高NandFlash存储器的读写速度。

著录项

  • 公开/公告号CN111240598B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安交通大学;

    申请/专利号CN202010044024.2

  • 申请日2020-01-15

  • 分类号G06F3/06(20060101);G06F12/02(20060101);

  • 代理机构61200 西安通大专利代理有限责任公司;

  • 代理人房鑫

  • 地址 710049 陕西省西安市咸宁西路28号

  • 入库时间 2022-08-23 12:07:10

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