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光电半导体戳记及其制造方法与光电半导体装置

摘要

本发明公开一种光电半导体戳记及其制造方法与光电半导体装置。该制造方法包括以下步骤:压合光电半导体衬底至紫外光胶带,其中多个光电半导体组件的电极黏着在紫外光胶带上;移除磊晶基材,并使至少一部分的这些光电半导体组件黏着在紫外光胶带上;降低紫外光胶带的至少一部分的黏性;以及通过导热衬底拾取至少一部分的黏性降低位置对应的多个光电半导体组件,使至少一部分黏性降低位置对应的多个光电半导体组件脱离紫外光胶带而得到光电半导体戳记。

著录项

  • 公开/公告号CN109935664B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 优显科技股份有限公司;

    申请/专利号CN201811477304.1

  • 发明设计人 陈显德;

    申请日2018-12-05

  • 分类号H01L33/00(20100101);H01L25/075(20060101);

  • 代理机构11245 北京纪凯知识产权代理有限公司;

  • 代理人赵志刚;赵蓉民

  • 地址 中国台湾台北市信义区忠孝东路5段1之1号13楼

  • 入库时间 2022-08-23 12:06:17

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