公开/公告号CN109967065B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-09
原文格式PDF
申请/专利权人 昆明理工大学;
申请/专利号CN201910195735.7
申请日2019-03-15
分类号B01J23/14(20060101);B01J37/34(20060101);B01J37/10(20060101);C02F1/30(20060101);C02F101/34(20060101);C02F101/36(20060101);C02F101/38(20060101);
代理机构
代理人
地址 650093 云南省昆明市五华区学府路253号
入库时间 2022-08-23 12:06:17
机译: SN基氧化物半导体纳米粉的制备方法和光电子电极的SN基氧化物半导体纳米粉的制备方法
机译: 利用SN-SNO混合纳米结构制备锂离子电池阳极的方法
机译: Sn-SnO杂化纳米结构制备锂离子电池负极的方法