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公开/公告号CN108572488B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-06
原文格式PDF
申请/专利权人 北京航空航天大学;
申请/专利号CN201711289580.0
发明设计人 郭琦;杨小倩;闫可心;赵慧洁;
申请日2017-12-08
分类号G02F1/141(20060101);
代理机构
代理人
地址 100191 北京市海淀区学院路37号
入库时间 2022-08-23 12:05:28
机译: 反铁电液晶化合物,反铁电液晶组成和光开关元件
机译: 光开关铁电液晶光阀
机译:包含光开关残基的螺旋型折叠剂,用于构象偏爱的光调节。
机译:基于铁电液晶的光开关和调制器的数值研究
机译:使用手性硫靛蓝掺杂剂对铁电液晶进行光开关:光化学开关击穿剂的发展
机译:使用Si-Waveaides的Mach-Zehnder干涉仪的1×8光开关,使用铁电液晶晶体包层
机译:用于铁电液晶光开关的不对称硫代靛蓝掺杂剂的研究。
机译:用基于光开关的基于TPE的超分子镊子光触发C60的封装和释放
机译:基于快速的铁电液晶光学开关:仿真和实验
机译:可见偏振光透射光谱法研究表面稳定铁电液晶单元的电光开关行为