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公开/公告号CN110148627B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-06
原文格式PDF
申请/专利权人 上海大学;
申请/专利号CN201910347454.9
发明设计人 黄健;马云诚;朱建;胡艳;邹天宇;唐可;尚艺;别佳瑛;缑赛飞;王林军;
申请日2019-04-28
分类号H01L29/24(20060101);H01L21/02(20060101);
代理机构31205 上海上大专利事务所(普通合伙);
代理人顾勇华
地址 200444 上海市宝山区上大路99号
入库时间 2022-08-23 12:05:03
机译: CZTS CZTS CZTS薄膜太阳能电池吸收层的制备方法CZTS制备的薄膜太阳能电池吸收层
机译: CZTS包括具有氧化物缓冲层的CZTS薄膜的太阳能电池及其制造方法
机译:CD_(0.6)Zn_(0.4)缓冲层对带对准的影响及CZTS薄膜太阳能电池的性能
机译:通过铟扩散对In_2S_3喷涂薄膜的光电性能进行改性,以用作基于CZTS的太阳能电池的缓冲层
机译:具有无毒缓冲层的CZTS太阳能电池:硫化温度和吸收层厚度的研究
机译:CZTS太阳能电池与IN_2S_3缓冲层的数值分析:基于CZTS的薄膜太阳能电池研究,关于若干参数对其电气性能的影响
机译:具有新型缓冲层的高效薄膜太阳能电池的数值分析和优化设计。
机译:校正:原位制备的PEDOT复合材料:PSS缓冲层-金属纳米颗粒及其在有机太阳能电池中的应用
机译:用于电沉积金属堆叠前驱体(Zn / Cu-Sn)的薄膜太阳能电池的CZTS吸收层
机译:具有锌锡酸盐缓冲层的Cds / CdTe薄膜太阳能电池