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检测低压阱区和高压阱区混接的方法

摘要

本发明提供的一种检测低压阱区和高压阱区混接的方法,包括:获取电路版图,所述电路版图具有低压阱区和高压阱区;判断所述低压阱区中是否具有器件;当所述低压阱区内无器件时,检测所述低压阱区上的金属互连线与所述高压阱区上的金属互连线之间是否存在电性连接,若同层的金属互连线存在电性连接,则所述低压阱区与所述高压阱区混接。本发明中,当低压阱区中具有器件时,可以直接通过电路检查检测低压阱区与高压阱区是否存在混接,低压阱区中不具有器件时,通过判断金属互连线的连接将低压阱区和高压阱区之间连接错误检测出来,避免流片失效风险。

著录项

  • 公开/公告号CN107368635B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;

    申请/专利号CN201710543028.3

  • 发明设计人 曹云;

    申请日2017-07-05

  • 分类号G06F30/367(20200101);G06F30/20(20200101);G06F30/392(20200101);

  • 代理机构31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人屈蘅

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

  • 入库时间 2022-08-23 12:04:20

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