公开/公告号CN107368635B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-02
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;
申请/专利号CN201710543028.3
发明设计人 曹云;
申请日2017-07-05
分类号G06F30/367(20200101);G06F30/20(20200101);G06F30/392(20200101);
代理机构31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人屈蘅
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
入库时间 2022-08-23 12:04:20
机译: 半导体器件的制造方法仅需要两个掩模即可完成元件隔离区以及P阱和N阱
机译: 高压装置深阱区的形成方法
机译: 在低压线性离子阱内创建离子反应区