一种纳米花状聚吡咯氧化锰复合材料的制备方法及应用

摘要

本发明属于纳米材料制备技术领域，特别涉及纳米花状聚吡咯‑氧化锰复合材料的制备方法。利用氧化锰(MnO₂)与导电聚合物电化学共沉积，制备了具有大电位窗范围(‑0.3～0.9V vs.SCE)的纳米花状聚吡咯‑氧化锰复合材料，该材料可用作超级电容器电极材料，并有效扩大了氧化锰(0～0.9V vs.SCE)和聚吡咯(‑0.3～0.5V vs.SCE)的储能电位范围；本发明所采用的电化学共沉积方法制备方便快速、对环境友好，并且具有实验反应条件易于控制，产品无需后处理等特点。