公开/公告号CN110335867B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-02
原文格式PDF
申请/专利权人 上海格易电子有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司;
申请/专利号CN201810186542.0
申请日2018-03-07
分类号H01L27/11517(20170101);H01L27/11521(20170101);
代理机构11332 北京品源专利代理有限公司;
代理人孟金喆
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路498号1幢502/15
入库时间 2022-08-23 12:03:53
机译: 一种NOR闪存器件的制造方法
机译: 一种制造NOR闪存器件的方法
机译: 一种具有漏区和源区的原位生产的晶体管器件的制备方法以及相应的晶体管器件,所述漏极区和源极区具有可变形的端基合金和逐渐变化的掺杂剂分布