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一种碳硅化铝结合SiC质耐火材料及其制备方法

摘要

本发明涉及一种碳硅化铝结合SiC质耐火材料及其制备方法,包括如下步骤:S1、将85~95wt%的碳化硅、0.1~10wt%的单质铝和2~8wt%的热固性酚醛树脂放入混碾机中混合均匀,压制成型制得碳化硅砖;S2、将步骤S1中所述碳化硅砖在一定条件下进行烘烤,再经过感应炉烧结得到原位生成Al4SiC4结合SiC质耐火材料。本发明制备的原位生成Al4SiC4结合SiC质耐火材料具有烧结温度低、烧结时间短、力学性能优异、抗氧化性强的特点。

著录项

  • 公开/公告号CN109608200B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉科技大学;

    申请/专利号CN201811503341.5

  • 申请日2018-12-10

  • 分类号C04B35/565(20060101);C04B35/56(20060101);C04B35/66(20060101);

  • 代理机构11212 北京轻创知识产权代理有限公司;

  • 代理人杨立;徐苏明

  • 地址 430081 湖北省武汉市青山区和平大道947号武汉科技大学

  • 入库时间 2022-08-23 12:02:55

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