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公开/公告号CN110536980B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-29
原文格式PDF
申请/专利权人 胜高股份有限公司;
申请/专利号CN201880014539.9
发明设计人 宝来正隆;杉村涉;小野敏昭;藤原俊幸;
申请日2018-01-11
分类号C30B29/06(20060101);C30B15/00(20060101);C30B15/20(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人杨戬
地址 日本东京都
入库时间 2022-08-23 12:02:36
机译: 用于冷却硅单晶硅锭的水冷管,该硅单晶硅锭可改善每小时的硅锭生长速度,以及包括该硅单晶硅锭的硅单晶生长装置
机译: 单晶硅锭制造装置的制造方法,使用该装置的制造方法,由此制造单晶硅锭和硅晶片
机译: 制造单晶硅和单晶硅晶片的方法,制造单晶硅的晶种,单晶硅锭和单晶硅晶片
机译:用Czochralski方法建模与控制单晶硅锭制造工艺
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机译:单晶硅锭制造设备销售良好,扩大了销售面积,促进了设备开发。
机译:单晶硅锭生命周期表征的暂态方法
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