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一种单端电学接触、单端载流子注入的μLED发光与显示器件及其制备方法

摘要

本发明涉及一种单端电学接触、单端载流子注入的μLED发光与显示器件及其制备方法,包括一个以上的像素单元,每个像素单元自下而上依次包括像素下电极、μLED晶粒、绝缘层、以及像素上电极;其中μLED晶粒直接接触所述像素下电极,外部载流子通过所述像素下电极注入所述μLED晶粒,绝缘层使得外部载流子无法通过所述像素上电极注入μLED晶粒;所述μLED晶粒由施加在像素上电极、像素下电极之间的交变电场点亮。本发明规避了复杂的键合工艺,有望提高μLED发光与显示器件的市场竞争力。

著录项

  • 公开/公告号CN110690329B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 福州大学;

    申请/专利号CN201910984757.1

  • 申请日2019-10-16

  • 分类号H01L33/38(20100101);H01L33/00(20100101);

  • 代理机构35100 福州元创专利商标代理有限公司;

  • 代理人钱莉;蔡学俊

  • 地址 350108 福建省福州市闽侯县福州大学城乌龙江北大道2号福州大学

  • 入库时间 2022-08-23 12:02:33

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