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公开/公告号CN111044581B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-29
原文格式PDF
申请/专利权人 上海交通大学;
申请/专利号CN201911383466.3
发明设计人 刘伟文;曹成喜;张强;王源豫;梁子其;
申请日2019-12-28
分类号G01N27/07(20060101);
代理机构31225 上海科盛知识产权代理有限公司;
代理人陈源源
地址 200240 上海市闵行区东川路800号
入库时间 2022-08-23 12:02:25
机译: 非接触式测量硅芯片的局部寿命-使用与芯片电容耦合的振荡电路,并测量表面电导率和阻尼系数
机译: 非接触角测量装置,任务关键检查装置,非侵入式诊断/治疗装置,从复合粒子束中过滤物质波的方法,非侵入式测量装置,用于测量的装置和时间,用于测量的装置时钟
机译: 电容耦合法非接触式测量半导体载流子浓度和电导率
机译:使用电容耦合非接触电导率制造整体多孔层开放式管状(monoPLOT)色谱柱的过程中相生长测量技术
机译:基于高通量电容耦合非接触式电导率测量的便携式八通道滴定仪
机译:使用扫描电容耦合非接触电导检测(sC〜4D)对毛细管流动系统中的固定相进行非侵入式表征
机译:基于微芯片电泳和非接触电导检测的手持式分析仪用于化学战剂降解产物的测量
机译:振动和电容耦合的电接触评估方法
机译:毛细管电泳-电容耦合非接触电导检测法测定海水中的生物胺
机译:用于测量和监测先进高强度管线钢安全氢的新方法:涂覆线管钢中氢含量测定的非破坏性非接触式电磁传感器的开发