首页> 中国专利> 一种采用原位自生法制备碳化硅纳米线增强石墨-碳化硅复合材料的方法

一种采用原位自生法制备碳化硅纳米线增强石墨-碳化硅复合材料的方法

摘要

本发明公开了一种采用原位自生法制备碳化硅纳米线增强石墨‑碳化硅复合材料的方法,该方法将所需量的纳米碳化硅颗粒、白砂糖粉、纳米二氧化硅粉和石墨粉混合后在高温加压条件下通过碳热还原反应,制备出以石墨和碳化硅复合相为基体,碳化硅纳米线为增强体的陶瓷基复合材料。本发明制备方法制得的复合材料利用原位自生技术,在复合粉体上直接生成弥散分布的碳化硅纳米线(SiCnw)增强体,生产成本低,比单一的SiC材料和石墨材料具有更优越的耐磨性能和力学性能。

著录项

  • 公开/公告号CN109180209B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 江苏科技大学;

    申请/专利号CN201811016740.9

  • 发明设计人 陈洪美;廖斯恩;张静;金云学;

    申请日2018-08-31

  • 分类号C04B35/80(20060101);C04B35/577(20060101);C04B35/575(20060101);C04B35/52(20060101);C04B35/622(20060101);

  • 代理机构32204 南京苏高专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人李倩

  • 地址 212008 江苏省镇江市京口区梦溪路2号

  • 入库时间 2022-08-23 12:01:43

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号