首页> 中国专利> 一种载晶架及定向生长KDP类晶体的方法

一种载晶架及定向生长KDP类晶体的方法

摘要

本申请公开了一种载晶架及定向生长KDP类晶体的方法。该载晶架包括下底板和侧板;所述侧板的一端固定在所述下底板的上表面,所述侧板围合成用于使点籽晶发生定向生长的空腔;所述下底板的上表面开设有用于放置点籽晶的盲孔,所述盲孔与所述空腔连通。该方法采用将晶体生长溶液和点籽晶放入载晶架中,在所述载晶架中定向生长,得到KDP类晶体;其中,所述KDP类晶体包括KDP晶体、DKDP晶体中的任一种。利用该载晶架及方法,可以制备出大尺寸的KDP类晶体,从而在进行Ⅱ类切割时,只对锥面进行切割,有效避免了将柱锥交界线切割到晶体中。

著录项

  • 公开/公告号CN110273177B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院福建物质结构研究所;

    申请/专利号CN201910261030.0

  • 发明设计人 郑国宗;胡子钰;蔡序敏;

    申请日2019-04-02

  • 分类号C30B7/08(20060101);C30B29/14(20060101);

  • 代理机构11540 北京元周律知识产权代理有限公司;

  • 代理人王惠

  • 地址 350002 福建省福州市鼓楼区杨桥西路155号

  • 入库时间 2022-08-23 12:00:14

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号