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一种基于电流驱动技术反场位形结构的高密度等离子体射流发生装置

摘要

一种基于电流驱动技术反场位形结构的高密度等离子体射流发生装置,属于低温等离子体的应用技术领域,本发明为解决射频感应耦合等离子体源在模式转换时存在不稳定放电阶段,导致等离子密度、电子能量分布、气体宏观温度以及均匀性很难同时满足要求的问题。本发明包括圆台型的石英腔体;石英腔体沿轴向分成两部分,靠近小端口的首端区域为等离子体产生区,靠近大端口的尾端区域为等离子体加速区;工作气体在等离子体产生区被击穿生成种子电子,所述种子电子在旋转磁场作用下生成高密度等离子体;所述等离子被拉伸至等离子体加速区进行加速形成等离子体射流,并向真空腔气室喷射。

著录项

  • 公开/公告号CN110337170B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工业大学;

    申请/专利号CN201910625548.8

  • 发明设计人 张仲麟;孙宇飞;

    申请日2019-07-11

  • 分类号H05H1/30(20060101);

  • 代理机构23109 哈尔滨市松花江专利商标事务所;

  • 代理人于歌

  • 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

  • 入库时间 2022-08-23 12:00:12

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