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一种基于高斯模型的平均电磁辐射预测方法

摘要

本发明公开了一种基于高斯模型的平均电磁辐射预测方法。该方法通过频谱分析仪在时域下测量得到振幅值,通过测量得到的振幅值计算出电场值,通过得到的电场值分别计算出电场值的概率和累积分布概率,通过得到的电场值与电场值的概率在MATLAB中进行高斯概率密度函数拟合,通过得到的电场值与电场值的累积分布概率在MATLAB中进行高斯累积分布函数拟合,通过分析高斯模型参数计算出基站平均电磁辐射强度。本发明能够快速、精确地对基站平均电磁辐射强度进行预测,对基站电磁辐射暴露情况的研究有较大的参考价值,具有一定的社会效益。

著录项

  • 公开/公告号CN110376444B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 湘潭大学;

    申请/专利号CN201910658810.9

  • 发明设计人 杨万春;尹斐;

    申请日2019-07-22

  • 分类号H04W24/06(20090101);G01R29/08(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 411100 湖南省湘潭市雨湖区湘潭大学信息工程学院

  • 入库时间 2022-08-23 12:00:12

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