首页> 中国专利> 采用超导材料的电子器件

采用超导材料的电子器件

摘要

叙述了一种新型的超导电子器件。在介绍中,根据本发明制造一种场效应半导体器件。在该半导体器件的源区和漏区上淀积上超导陶瓷材料,其间夹有绝缘膜,起隧道电流膜的作用。

著录项

  • 公开/公告号CN1014382B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日1991-10-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社半导体能源研究所;

    申请/专利号CN88106274.X

  • 发明设计人 山崎舜平;

    申请日1988-08-24

  • 分类号H01L39/22;

  • 代理机构中国专利代理有限公司;

  • 代理人肖掬昌

  • 地址 日本神奈川县

  • 入库时间 2022-08-23 08:54:28

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 1998-10-14

    专利权的终止未缴年费专利权终止

    专利权的终止未缴年费专利权终止

  • 1992-07-01

    授权

    授权

  • 1991-10-16

    审定

    审定

  • 1989-03-08

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号