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基于全波段减反的单晶硅表面复合微结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于全波段减反的单晶硅表面复合微结构及其制备方法,包括以下步骤(1)~(4)中部分或全部,其中,每个步骤执行一次或多次;(1)对硅片亲水处理,配制聚苯乙烯小球混合溶液,在硅片表面铺设掩体聚苯乙烯小球;(2)通入氧气进行刻蚀,然后通入六氟化硫、八氟环烃烷,进行刻蚀‑钝化‑刻蚀循环,得到具有纳米柱结构的单晶硅;(3)将具有纳米柱结构的单晶硅浸入含有硝酸银的酸性刻蚀液中进行表面腐蚀,得到具有纳米铅笔状结构的单晶硅;(4)在具有微结构的单晶硅进行磁控溅射,在其正面或反面或正反两面镀上减反层。本发明有效地提升了对全波段太阳能的减反效果,从而提高了太阳能电池的转换效率。

著录项

  • 公开/公告号CN109853044B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南京航空航天大学;

    申请/专利号CN201910051249.8

  • 发明设计人 杨理理;李铖;

    申请日2019-01-21

  • 分类号C30B33/12(20060101);C30B33/10(20060101);C30B29/06(20060101);C23C14/35(20060101);C23C14/10(20060101);C23C14/08(20060101);H01L31/0236(20060101);H01L31/18(20060101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构32249 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人陈国强

  • 地址 210016 江苏省南京市秦淮区御道街29号

  • 入库时间 2022-08-23 11:58:05

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