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公开/公告号CN111399118B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-15
原文格式PDF
申请/专利权人 浙江大学;
申请/专利号CN202010105406.1
发明设计人 时尧成;许弘楠;
申请日2020-02-20
分类号G02B6/126(20060101);
代理机构33240 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙);
代理人朱月芬
地址 310027 浙江省杭州市浙大路38号
入库时间 2022-08-23 11:57:33
机译: 基于谐振的光子强度调节剂与完全蚀刻的薄膜铌酸锂波导集成
机译: 基于梯度波导定向耦合器的宽带偏振分束器/合并器
机译:基于铌酸锂薄膜和所有波导结构的集成偏振复用IQ调制器
机译:使用1.55μm光从钛掺杂的基于铌酸锂的铌酸锂的带波导产生太赫兹脉冲
机译:基于反向△β定向耦合器的硅波导偏振分束器的设计
机译:基于铌酸锂薄膜的偏振分束器
机译:铌酸锂薄膜的生长使用固体源金属有机化学气相沉积进行波导应用。
机译:基于Si3N4 / SiO2水平槽波导的偏振分束器用于片上大功率应用
机译:薄膜锂铌酸锂100-GBD波导布拉格光栅调制器
机译:基于单臂薄膜波导干涉仪的光学传感器